| 一种装配低压场发射电子源的方法 |
| 成会明, 佟钰, 刘畅 and 赵志刚
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| 2004-12-08
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2004-12-08
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及电子源,具体地说是一种装配低压场发射电子源的方法。它 采用铜网栅极或开孔铜片作为加压阳极,以绳束状纳米碳管为场发射阴极, 将其作为阴极发射材料固定在导电基片上,使样品轴线方向与基片表面垂 直,加压阳极与阴极相距0.1～1mm；控制工作真空度在1×10-3～1×10-8Pa 范围内,在场发射阴极与加压阳极之间施加0.2～3kV电压,所得到的一部分 场发射电子可以从加压阳极透过,获得低压场发射电流。采用本发明场发射 性能优异,具有良好的可操作性及低压操作特点,场发射电流在不高于1kV 电压... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1553469
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67903
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
成会明, 佟钰, 刘畅 and 赵志刚. 一种装配低压场发射电子源的方法[P]. 2004-12-08.
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