| 一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法 |
| 侯鹏翔, 于冰, 刘畅 and 成会明
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| 2012-05-02
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2012-05-02
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化；将氧化处理后的样品浸于盐酸溶液中去除催化剂颗粒、并清洗和干燥。本发明实现了单一导电属性(半导体性)单壁碳纳米管的大量制备,克服了现有化学和物理方法分离过程中对单壁碳纳米管本征结构破坏严重等问题。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102431989A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66616
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
侯鹏翔, 于冰, 刘畅 and 成会明. 一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法[P]. 2012-05-02.
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