| 低压场发射阴极X射线管 |
| 成会明, 佟钰, 刘畅 and 赵志刚
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| 2004-12-08
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2004-12-08
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及X射线管,具体地说是一种低压场发射阴极X射线管。本 发明场发射阴极为绳束状纳米碳管以阵列方式装配于导电基片上,其轴线 与导电基片的表面垂直；所述加压阳极平行布置于绳束状纳米碳管阵列的 正上方,于支撑体上；支撑体为开口筒状结构,筒体下端安装于导电基片边 缘,作为电子束聚焦窗口的上端为瓶颈式结构,导电基片及筒体分别设引 出极A、B,通过导线至外加电源。它可大幅度降低X射线管的工作电压, 实现X射线成像系统小型化、微型化,并提高分辨率,从而在医疗、科研 及国防安全等领域发挥更大作用。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1553473
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/65912
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
成会明, 佟钰, 刘畅 and 赵志刚. 低压场发射阴极X射线管[P]. 2004-12-08.
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