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Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166
作者:  B. D. Liu;  F. Yuan;  B. Dierre;  T. Sekiguchi;  S. Zhang;  Y. K. Xu;  X. Jiang
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Gan  Nanowire Arrays  Epitaxial Growth  Interface  Yellow-band Emission  Vapor-phase Epitaxy  Gallium Nitride  Spatial-distribution  Luminescence  Carbon  Cathodoluminescence  Microstructure  Nanodevices  Fabrication  Mechanism  
Vertically Aligned p-Type Single-Crystalline GaN Nanorod Arrays on n-Type Si for Heterojunction Photovoltaic Cells 期刊论文
Nano Letters, 2008, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 4191-4195
作者:  Y. B. Tang;  Z. H. Chen;  H. S. Song;  C. S. Lee;  H. T. Cong;  H. M. Cheng;  W. J. Zhang;  I. Bello;  S. T. Lee
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Sensitized Solar-cells  Light-emitting-diodes  Molecular-beam Epitaxy  Tio2 Nanotube Arrays  Nanowire Arrays  Controlled Growth  Silicon  Heterostructures  Nanodevices  Route