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单晶高温合金定向凝固雀斑形成倾向液相密度差判据
期刊论文
稀有金属, 2023, 卷号: 47, 期号: 8, 页码: 1113-1121
作者:
姜卫国
;
韩东宇
;
董琳
;
李相伟
;
李凯文
;
李强
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2024/01/07
single crystal superalloy
directional solidification
freckle formation tendency
density difference
单晶高温合金
定向凝固
雀斑形成倾向
密度差
一种全钒液流电池用功能性多孔聚偏氟乙烯膜的制备方法
专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 201611028302.5, 申请日期: 2019-10-22,
发明人:
赵丽娜、肖伟、刘建国、严川伟
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浏览/下载:158/0
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提交时间:2021/03/01
应变对铁酸铋薄膜结构畸变特性的影响
期刊论文
电子显微学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 470-476
作者:
韩梦娇
;
朱银莲
;
唐云龙
;
王宇佳
;
郭相伟
;
马秀良
收藏
  |  
浏览/下载:143/0
  |  
提交时间:2021/02/02
铁酸铋薄膜
失配应变
结构畸变
氧八面体
透射电子显微镜
应变对铁酸铋薄膜结构畸变特性的影响
期刊论文
电子显微学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 470-476
作者:
韩梦娇
;
朱银莲
;
唐云龙
;
王宇佳
;
郭相伟
;
马秀良
收藏
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2021/02/02
铁酸铋薄膜
失配应变
结构畸变
氧八面体
透射电子显微镜
Atomic-Scale Insight into Structure and Interface of Al2Y Phase in an Mg-Al-Y Alloy
期刊论文
ADVANCED ENGINEERING MATERIALS, 2018, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: -
作者:
Peng, ZZ
;
Shao, XH
;
Guo, XW
;
Wang, J
;
Wang, YJ
;
Ma, XL
;
Shao, XH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang Natl Lab Mat Sci, 72 Wenhua Rd, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.
收藏
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浏览/下载:145/0
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提交时间:2018/06/05
Magnesium Alloys
Crystal-structure
System
Microstructure
Transformation
Gd
Polarization Rotation in Ultrathin Ferroelectrics Tailored by Interfacial Oxygen Octahedral Coupling
期刊论文
ACS NANO, 2018, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 3681-3688
作者:
Zhang, SR
;
Guo, XW
;
Tang, YL
;
Ma, DS
;
Zhu, YL
;
Wang, YJ
;
Li, S
;
Han, MJ
;
Chen, D
;
Ma, JY
;
Wu, B
;
Ma, XL
;
Ma, XL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang Natl Lab Mat Sci, Wenhua Rd 72, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.
;
Ma, XL (reprint author), Lanzhou Univ Technol, Sch Mat Sci & Engn, Langongping Rd 287, Lanzhou 730050, Gansu, Peoples R China.
收藏
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浏览/下载:165/0
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提交时间:2018/06/05
Electromechanical Response
Solid-solution
Pbtio3 Films
Thin-films
Phase
Enhancement
Crystals
Origin
Fields
Oxides
截面尺寸和固溶制度对单晶高温合金DD33中显微孔洞的影响
期刊论文
材料研究学报, 2018, 期号: 03, 页码: 168-176
作者:
韩东宇
;
姜卫国
;
肖久寒
;
李相伟
;
楼琅洪
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浏览/下载:104/0
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提交时间:2018/06/05
金属材料
单晶高温合金
截面尺寸
固溶制度
显微孔洞
一种坩埚篮套及其制备方法
专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 201410528860.2, 申请日期: 2017-11-24,
发明人:
李相伟
;
董加胜
;
白清举
;
姜卫国
;
楼琅洪
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浏览/下载:107/0
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提交时间:2021/02/02
Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS2 transistor
期刊论文
NATURE PUBLISHING GROUP, 2017, 卷号: 8, 页码: -
作者:
Li, Xiao-Xi
;
Fan, Zhi-Qiang
;
Liu, Pei-Zhi
;
Chen, Mao-Lin
;
Liu, Xin
;
Jia, Chuan-Kun
;
Sun, Dong-Ming
;
Jiang, Xiang-Wei
;
Han, Zheng
;
Bouchiat, Vincent
;
Guo, Jun-Jie
;
Chen, Jian-Hao
;
Zhang, Zhi-Dong
;
Sun, DM
;
Han, Z (reprint author), Chinese Acad Sci, Shenyang Natl Lab Mat Sci, Inst Met Res, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.
;
Han, Z (reprint author), Univ Sci & Technol China, Sch Mat Sci & Engn, Hefei 230026, Anhui, Peoples R China.
;
Jiang, XW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:160/0
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提交时间:2018/01/10
全钒液流电池用阳/增强/阴两性复合膜及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2016-08-17
发明人:
赵丽娜、肖伟、刘建国、严川伟
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2017/08/22