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钙钛矿型氧化物薄膜及多层膜中结构与缺陷的电子显微学研究 学位论文
, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2008
作者:  卓木金
收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2012/04/10
透射电子显微术  钙钛矿氧化物  显微结构  
HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究 期刊论文
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 95-96
作者:  卓木金;  马秀良
收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2012/04/12
界面层厚度:7807  栅介质层:3216  相对介电常数:2195  薄膜:2048  二氧化硅:1902  氧化铪:1889  透射电子显微镜:1813  等效厚度:1778  退火温度:1778  化学成分:1696  
HfO2/Si(001)界面层的TEM研究 会议论文
电子显微学报, 沈阳, 2006-08-26
作者:  卓木金;  马秀良
收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2013/08/21
栅氧化层  氧化硅  高k介质材料  隧穿效应  栅介质层  微电子技术  
杯电極溶液法光谱光源中物质蒸发与弧温的研究 期刊论文
物理学报, 1959, 期号: 4, 页码: 167-172
作者:  李诗(金卓),何怡贞
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2012/04/12
弧焰:8826  光谱光源:3244  溶液法:2597  弧柱:1691  温度分布:660  外加磁场:631  高分:587  电弧法:529  燃弧:498  金属研究所:497