| 溅射沉积Mg_2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能 | |
| 宋贵宏; 李贵鹏; 刘倩男; 杜昊; 胡方 | |
| 2019-11-11 | |
| 发表期刊 | 金属学报
 |
| 卷号 | 55期号:11页码:1469-1476 |
| 摘要 | 采用Mg-Sn-Si-Bi合金和高纯Mg双靶,通过转动基材并调节Mg靶溅射时间,在单晶Si(111)衬底上顺序沉积并获得了Mg含量变化的Mg-Sn-Si-Bi薄膜。结果表明,保持合金靶溅射时间不变,薄膜中Mg的含量随Mg靶溅射时间的延长明显增大,同时薄膜中Sn、Si的含量呈减小趋势。薄膜中Mg含量的变化导致其相结构和导电性能发生改变。当Mg含量(原子分数)由71.437%变化到64.497%,薄膜具有单一的立方Mg2(Sn, Si)固溶体相结构;当Mg含量减小到59.813%及以下时,薄膜中Mg2(Sn, Si)固溶体相消失而出现立方Mg2Sn和立方Mg2Si两相;随Mg含量进一步减小到54.006%,薄膜中除Mg2Sn相外还出现了金属Sn相,并且该金属相含量随Mg含量的减少而增大,相应的立方Mg2Sn相含量减少,但Mg2Si相含量几乎没有变化。单一固溶体立方相结构的薄膜具有较大的载流子浓度和迁移率,因此电导率较大。然而,薄膜中金属Sn相的出现导致载流子迁移率显著下降,薄膜导电率也明显降低。 |
| 关键词 | Mg2(Sn,Si)薄膜 Mg含量 电导率 迁移率 XPS |
| 学科门类 | TB306 |
| 语种 | 中文 |
| WOS类目 | TB306 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/80239 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 作者单位 | 1.沈阳工业大学材料科学与工程学院 2.中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,等. 溅射沉积Mg_2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能[J]. 金属学报,2019,55(11):1469-1476. |
| APA | 宋贵宏,李贵鹏,刘倩男,杜昊,&胡方.(2019).溅射沉积Mg_2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能.金属学报,55(11),1469-1476. |
| MLA | 宋贵宏,et al."溅射沉积Mg_2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能".金属学报 55.11(2019):1469-1476. |
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