| 一种碳化硅片状晶体的制备方法 | |
| 阎德胜, 胡宛平, 苏国跃 and 曲哲 | |
| 2003-03-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2003-03-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及一种硅晶的制备方法,其特征在于采用两步制备法：将SiO2粉和C粉按比例(1～3)∶(3～1),在1400～2000℃下,保温1～2小时,合成β-SiC晶须,再将此晶须与SiO2粉和C粉及助生长剂(铝化合物)按比例(5～10)∶(10～30)∶(5～10)∶(0.1～2.0)在1900～2250℃下保温1～2小时,合成α-SiC片状晶体。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1401828 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67528 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阎德胜, 胡宛平, 苏国跃 and 曲哲. 一种碳化硅片状晶体的制备方法[P]. 2003-03-12. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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