一种电触点用Ag/Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合膜及其制备和应用

IMR OpenIR

	一种电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜及其制备和应用
	彭晓, 张洪亮 and 王福会
	2012-07-18
专利权人	中国科学院金属研究所
公开日期	2012-07-18
授权国家	中国
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及复合膜制备技术,更具体地说,是涉及一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用。复合膜由Ag基体和弥散其中的Cr2O3颗粒组成：按质量百分数计,Cr2O3颗粒含量为1.5％-15.0％,其余为Ag。复合膜的制备分两步进行：首先采用Ag与Cr颗粒共电沉积的方法在浸Ag打底的Cu基体上制备Cr颗粒弥散分布的Ag/Cr复合镀层；然后通过Cr颗粒的原位内氧化,使Ag/Cr复合镀层中的Cr颗粒氧化生成Cr2O3颗粒并均匀弥散于Ag基体中从而获得Ag/Cr2O3复合膜。本发明工艺简单、成熟,易于推广。与采用复合电沉积制备的Ag/3.9Cr2O3复合膜和文献中报道的采用合金内氧化法制备的常用A...
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN102592699A
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66692
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	彭晓, 张洪亮 and 王福会. 一种电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜及其制备和应用[P]. 2012-07-18.