| 一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法 |
| 金帅, 尤泽升 and 卢磊
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| 2012-04-04
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专利权人 | 中国科学院金属研究所
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公开日期 | 2012-04-04
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明专利
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摘要 | 本发明涉及纳米结构金属材料领域,具体地说是一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法,其微观结构由柱状晶粒组成,晶粒尺寸在1-50微米范围内,各晶粒内部均匀分布着高密度的纳米孪晶片层结构,孪晶片层的厚度从30纳米到几百纳米不等。结构特点:<111>织构,柱状晶粒,小角晶界;垂直于生长方向的纳米尺寸孪晶片层,∑3共格孪晶界面;晶粒尺寸、孪晶片层可控生长,块体,其强度可达到粗晶铜的10倍。本发明利用传统的直流电解沉积技术,只需对工艺条件稍作改变,控制适当的镀液组成和沉积参数即可。本发明可解决现有技术中铜材料存在的性能问题,获得的铜材料性能优良,具有高强度的同时,具有高热稳定性、高导电性和塑性... |
语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN102400188A
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66448
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
金帅, 尤泽升 and 卢磊. 一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法[P]. 2012-04-04.
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