| 溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶 | |
| 姜洪刚, 佟华宇, 丁炳哲, 宋启洪 and 胡壮麒 | |
| 1994-12-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 1994-12-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 一种金属碳化物纳米晶的制备方法,适合于难熔金属如钛、铌、钽、钼、钨,其特征在于工艺过程和参数如下：用机械泵和扩散泵将真空抽到10－5—10－6Torr；充氩气；用纯难熔金属作靶,靶极距50～80mm,无外界加热和冷却,直接溅射沉积。本发明工艺简单易行。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1096061 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66096 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜洪刚, 佟华宇, 丁炳哲, 宋启洪 and 胡壮麒. 溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶[P]. 1994-12-07. |
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