| 高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法 |
| 侯鹏翔, 于冰, 刘畅 and 成会明
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| 2012-01-18
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2012-01-18
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域,具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体,在高的氢气载气流量下,生长出高抗氧化性碳纳米管,同时通过调控加入硫生长促进剂的量,实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长,获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管,单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90％以上,单壁和双壁碳纳米管的最高抗氧化温度分别为770℃和785℃。本发明获得结晶度高、结构缺陷少、纯度高的单/双壁碳纳米管,具有优异的导电性、高弹性、高强度等特性,可望在透明导电薄膜及其相关器件上获... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102320593A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66001
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
侯鹏翔, 于冰, 刘畅 and 成会明. 高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法[P]. 2012-01-18.
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