| 热电子增强活化离子镀Al防护膜的究 | |
| 陈秀芝,郑玉芹,闻立时 | |
| 1989-03-02 | |
| 发表期刊 | 材料保护
 |
| 期号 | 2页码:28-32+3-4 |
| 摘要 | 在DML—500A离子镀设备中使用热电子发射电极以增强离子化,通过使用这种技术获得致密度更高,质量更好的A1膜,这种A1膜特别适合于保护永久磁铁。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 |
| 关键词 | 活化离子镀 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29281 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈秀芝,郑玉芹,闻立时. 热电子增强活化离子镀Al防护膜的究[J]. 材料保护,1989(2):28-32+3-4. |
| APA | 陈秀芝,郑玉芹,闻立时.(1989).热电子增强活化离子镀Al防护膜的究.材料保护(2),28-32+3-4. |
| MLA | 陈秀芝,郑玉芹,闻立时."热电子增强活化离子镀Al防护膜的究".材料保护 .2(1989):28-32+3-4. |
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