| 小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率 |
| 谌季强,龙期威,汪克林
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| 1989-08-29
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| 发表期刊 | 物理学报
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| 期号 | 8页码:1360-1363 |
| 摘要 | 若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态,则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性。这种温度依赖性有两种类型,且比捕获率的取值也可能相当高,显示了与位错的很大不同。 |
| 部门归属 | 中国科学院国际材料物理中心,中国科学院国际材料物理中心,中国科学技术大学基础物理中心 沈阳,沈阳 中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 声子激发:4965
正电子捕获:4465
空位团:4136
捕获率:4012
浅能级:3692
负温度:1814
温度依赖性:1688
束缚能:1080
声子态密度:903
波函数:654
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29218
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
谌季强,龙期威,汪克林. 小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率[J]. 物理学报,1989(8):1360-1363.
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| APA |
谌季强,龙期威,汪克林.(1989).小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率.物理学报(8),1360-1363.
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| MLA |
谌季强,龙期威,汪克林."小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率".物理学报 .8(1989):1360-1363.
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