| 纳米级SiC晶须的微波合成 |
| 戴长虹,张劲松,杨永进,曹丽华,张显鹏,夏非
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| 1995-11-23
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 22页码:473-476 |
| 摘要 | 以酚醛树脂、超细炭黑和超细ＳｉＯ２为原料，用微波加热的方法合成了直径在纳米级的ＳｉＣ晶须。用Ｘ射线衍射、分析电镜等手段对ＳｉＣ晶须进行了结构测定。比较并分析了不同的炭源和温度对ＳｉＣ晶须性能的影响． |
| 部门归属 | 东北大学，中国科学院金属研究所，东北大学有色金属冶金系
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| 关键词 | Sic
晶须
微波加热
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28124
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
戴长虹,张劲松,杨永进,曹丽华,张显鹏,夏非. 纳米级SiC晶须的微波合成[J]. 金属学报,1995(22):473-476.
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| APA |
戴长虹,张劲松,杨永进,曹丽华,张显鹏,夏非.(1995).纳米级SiC晶须的微波合成.金属学报(22),473-476.
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| MLA |
戴长虹,张劲松,杨永进,曹丽华,张显鹏,夏非."纳米级SiC晶须的微波合成".金属学报 .22(1995):473-476.
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