| 高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响 |
| 肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂
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| 2000-12-18
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 12页码:1237-1239 |
| 摘要 | 对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的 ［１２３］取向的疲劳 Ｃｕ单晶体，进行了高密度脉冲电流处理结果表明，高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态，使驻留滑移带局部消失理论计算同时表明，高密度脉冲电流处理能提高 Ｃｕ单晶疲劳寿命． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学院?
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| 关键词 | 驻留滑移带
脉冲电流
热压应力
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27118
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂. 高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响[J]. 金属学报,2000(12):1237-1239.
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| APA |
肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂.(2000).高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响.金属学报(12),1237-1239.
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| MLA |
肖素红,周亦胄,吴世丁,姚戈,李守新,周本濂 ,周本濂."高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响".金属学报 .12(2000):1237-1239.
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