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电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护
冷文华; 刘东坡; 程小芳; 朱文彩; 张鉴清; 曹楚南
2007-07-11
发表期刊金属学报
期号7页码:764-768
摘要采用阴极电沉积法制备了具有可见光光电响应的WO_3薄膜电极.考察了制备工艺条件和光反应体系组成对电极光电响应性能的影响.结果表明:沉积电位-0.45V(相对于饱和甘汞电极)、沉积时间1600s、烧结温度400℃时电极光电性能较好;在光电化学电池中,阳极室添加空穴捕获剂(如甲酸和升高溶液pH值,有利于光电流输出.在阳极室溶液组成为0.5mol/dm~3 Na_2SO_4+0.5mol/dm~3 HCOOH(pH9.6)时,WO_3薄膜电极在可见光光照下可对4mol/dm~3 NaCl溶液中金属Cu进行光电化学防腐蚀,为利用可见光实现对金属防腐蚀提供了一条新的途径.
部门归属浙江大学化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系,浙江大学化学系 杭州 310027,杭州 310027,杭州 310027,杭州 310027 山东教育学院化工系,济南 250013,杭州 310027 中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳 110016,杭州 310027 中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳 110016
关键词Wo_3 电沉积 可见光 Cu 光电化学防腐蚀
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24682
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
冷文华,刘东坡,程小芳,等. 电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护[J]. 金属学报,2007(7):764-768.
APA 冷文华,刘东坡,程小芳,朱文彩,张鉴清,&曹楚南.(2007).电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护.金属学报(7),764-768.
MLA 冷文华,et al."电沉积制备WO_3电极及其对Cu可见光光电化学保护".金属学报 .7(2007):764-768.
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